供应分立半導體晶體管STP7NK80Z

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分立半導體晶體管STP7NK80Z, STB7NK80Z-1 STP7NK80ZFP, STP7NK80Z n沟道800 V, 1.5Ω,5.2,- 220,- 220 - fp, D2PAK, I2PAK Zener-protected SuperMESH™功率MOSFET特性

极高的dv/dt能力,100%雪崩测试,极低的本征电容,极好的制造重复性■切换应用分立半導體晶體管STP7NK80Z

通过对ST公司已建立的基于条带的PowerMESH™布局进行极端优化,得到了SuperMESH™系列。除了显著降低导通电阻外,还特别注意确保对最苛刻的应用程序具有非常好的dv/dt能力。该系列産品是对ST全系列高压mosfet(包括革命性的MDmesh™産品)的补充。图1所示。内部原理图分立半導體晶體管STP7NK80Z

vds公司类型(@Tjmax) RDS () ID STP7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8ΩSTP7NK80ZFP 800 v 5.2 < 1.8ΩSTB7NK80Z 800 v 5.2 < 1.8ΩSTB7NK80Z-1 800 v 5.2 < 1.8Ω

I2PAK 220《外交政策》D2PAKAM01476v1表1。设备汇总订单代码,标志包装包装

STB7NK80ZT4 B7NK80Z D2PAK磁带e盘STB7NK80Z-1 B7NK80Z我2PAK TubeSTP7NK80Z P7NK80Z - 220 STP7NK80ZFP P7NK80ZFP - 220《外交政策》

符號參數價值

VDS漏源电压(VGS = 0) 800 V VGS栅源电压±30 V ID漏电流(连续)TC = 25℃5.2 5.2 (1)

1. 仅受允许的最高温度限制分立半導體晶體管STP7NK80Z

A ID漏电流(连续)在TC = 100℃3.3 3.3 (1)A IDM (2)

2. 脉冲宽度受安全操作区域限制

漏电流(脉冲)20.8 20.8(1)在TC = 25°C 125 30 W降阻系数1 0.24 W/°C时,总耗散为零VESD (g)

门源ESD (HBM-C = 100 pF, R = 1.5 kΩ)4000 Vdv / dt (3)

3.ISD≤5.2, di / dt≤200 /μs VDD≤V (BR) DSS, Tj≤TJMAX。

峰值二极管恢复电压斜率4.5 V/ns

VISO3条引线至外部散热器的绝缘耐压(RMS) (t=1 s;TC = 25°C)2500 VTj测试

最大工作结温度存储温度分立半導體晶體管STP7NK80Z

-55年到150年热数据符号参数rthj -外壳热阻连接-外壳最大14.2°C/W Rthj-amb热阻连接-环境最大62.5°C/W

Tl焊接用最高铅温300°C表4。雪崩特性符号参数值单位AR雪崩电流,重复或非重复(脉冲宽度受Tj Max限制)5.2

东亚峰会单脉冲雪崩能量(起始TJ = 25℃,ID = IAR, VDD = 50 V)


型號

STP7NK80Z

Id-連續漏極電流:

5.2 A

Vds-漏源極擊穿電壓:

800 V

1 Channel

1 Channel

封裝

TO-220-3

Pd-功率耗散:

125 W